Мобильная память объемом 3 ГБ станет реальностью

Компания Samsung официально заявила сегодня, что первой в мире приступает к выпуску компонентов для карт памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса, что в случае южнокорейского производителя означает диапазон от 20 до 29 нм.

Такие компоненты компания с успехом сможет применить в производстве чипов объемом 3 ГБ, которые смогут достигать максимальной скорости 2133 Мбит/с. С такой памятью мобильный процессор будет соединяться по двум симметричным каналам с раздельным доступом каждого к 1,5 ГБ памяти. В Сети уже ходят слухи, что первым смартфоном с таким объёмом оперативной памяти станет Galaxy Note 3.