Разработчик SK Hynix создал модуль памяти DDR4 объемом 128 Гб

Как сообщает компания-производитель SK Hynix, ей первой в мире удалось создать модуль памяти объемом 128 ГБ, где применены компоненты DDR4 плотностью 8 Гбит, изготовленные по технологии 20-нанометрового класса.

Разработчику удалось удвоить объем памяти вдвое за счет применения в микросхемах технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV).

В итоге скорость работы модуля составляет 2133 Мбит/с (в расчете на один разряд шины данных), а его пропускная способность - 17 ГБ/с. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,2 В.

К серийному выпуску новинки компания SK Hynix приступит в первой половине 2015 года.